电科材料山西烁科晶体有限公司常务副总经理魏省汝：2009年，我们已经研制出了2英寸的碳化硅衬底（晶片），当我们把衬底（晶片）的尺寸从2英寸扩展到4英寸，单个芯片的成本可以降到原来的1/4。现在再做到8英寸，相当于在4英寸基础上又可以再降低70%到80%的成本。
研制大尺寸、高性能的晶片，碳化硅晶体生长装备是关键。十年前，中国电科研发的碳化硅长晶装备，仅能生产2英寸或4英寸的小尺寸晶体，工艺水平和生产效率都不高。目前，这些晶体生长以及产业链配套相关装备，已经完成了多轮迭代升级。
应用场景逐步显现 产业规模有望达数千亿
以碳化硅为代表的第三代半导体被称为“绿色”半导体，十年来，中国电科的第三代半导体器件实现了从研发到商用的转型，两亿只产品有力支撑了新基建和“双碳”战略需求。数据显示， 它的器件节能性是硅器件的4倍，可以使新能源汽车能耗降低50%，特高压电网损耗降低60%，轨道交通功率器件系统损耗降低20％以上。
国家第三代半导体技术创新中心主任张鲁川：第三代半导体是战略新兴产业，从装备、材料、芯片、器件到应用，这一全产业链的整体视角来看，未来产业规模将高达数千亿元人民币。
